基于1μm 600V BCD工艺的高压栅驱动电路

Authors：黎俐; 方健

Source：微电子学, 2013, (04): 484-487.

• BCD工艺
• 高压栅驱动
• 电平位移 BCD process
• High voltage MOS-gate drive
• Level shift

基于低压BCD工艺,与华润上华合作开发了1μm 600VBCD工艺平台,可以集成600V高压LDMOS和高压结终端。基于此工艺平台,设计了一种高压半桥栅驱动电路。该电路具有独立的低端和高端输入通道,内置长达1μs的死区时间,防止高低端同时导通。采用双脉冲电平位移结构完成15～615V的电平位移,同时集成过流和欠压等保护功能。高端采用新型的电平位移结构,版图面积减小12%。测试结果表明,高端浮置电平可以加到750V,高低端输出上升时间为50ns,延迟匹配为150ns,输出峰值电流大于2A,电路响应快,可靠性高。

• Institution
  电子科技大学