高隔离度阶跃结构MEMS开关的设计

作者：凌源; 鲍景富; 李昕熠; 黄裕霖; 寇波; 赵兴海

来源：微纳电子技术, 2013, (10): 623-628.

• 射频微电子机械系统(RF MEMS)
• 驱动电压
• 隔离度
• 插入损耗
• 回波损耗 radio-frequency micro-electro-mechanical system(RF MEMS)
• pull-in voltage
• isolation
• insertion loss
• return loss

针对MEMS开关提高电容比需要提高驱动电压的问题,提出了一种应用于Ku频段的阶跃结构MEMS开关,该结构结合了固支梁开关和悬臂梁开关,使得开关有两个驱动高度。当固支梁被吸合时,悬臂梁高度会随之降低,在增加开关电容比的同时降低了驱动电压。利用开关悬臂梁引入的电感,将开关闭合态LCd谐振点设计在14.5 GHz,使得开关在Ku频段的隔离度尤为优异。使用ANSYS和HFSS软件进行模拟,结果显示所设计开关驱动电压小于32 V,关态和开态电容比达到280,12～18 GHz的隔离度大于37 dB,插入损耗低于0.23 dB,回波损耗高于-17 dB。

• 单位
  电子工程学院; 中国工程物理研究院电子工程研究所; 电子科技大学