单Halo全耗尽应变Si绝缘硅金属氧化物半导体场效应管的阈值电压解析模型

Authors：辛艳辉; 刘红侠; 范小娇; 卓青青

Source：ACTA PHYSICA SINICA, 2013, (10): 436-441.

• 应变Si
• 阈值电压
• 短沟道效应
• 漏致势垒降低 strained Si
• threshold voltage
• short channel effect
• drain induced barrier lowering

为了改善金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的短沟道效应(SCE)、漏致势垒降低(DIBL)效应,提高电流的驱动能力,提出了单Halo全耗尽应变硅绝缘体(SOI)MOSFET结构,该结构结合了应变Si,峰值掺杂Halo结构,SOI三者的优点.通过求解二维泊松方程,建立了全耗尽器件表面势和阈值电压的解析模型.模型中分析了弛豫层中的Ge组分对表面势、表面场强和阈值电压的影响,不同漏电压对表面势的影响,Halo掺杂对阈值电压和DIBL的影响.结果表明,该新结构能够抑制SCE和DIBL效应,提高载流子的输运效率.

• Institution
  西安电子科技大学