具有多阶场板的300V薄层SOI RESURF nLDMOS设计

作者：王卓; 邹杰; 周锌; 卢慕婷; 乔明; 张波

来源：微电子学, 2013, (06): 841-845.

• SOI
• nLDMOS
• 降低表面场
• 多阶场板
• 击穿电压
• 比导通电阻 SOI
• nLDMOS
• RESURF
• Multiple field plate
• Breakdown voltage
• Specific on-resistance

提出了一种具有多阶场板的300V薄层SOI RESURF nLDMOS器件。借助RESURF和MFP技术,优化了器件表面电场分布,避免了器件在表面提前击穿,提高了器件耐压。通过分析器件的结构参数,进一步得到优化的器件击穿电压和比导通电阻。与常规nLDMOS结构相比,该器件不仅具有高的击穿电压,而且制造工艺简单、成本低。

• 单位
  电子科技大学