光寻址电位传感器特性研究

摘要

对影响EIS(电解质溶液—绝缘层—半导体)型光寻址电位传感器(Light Addressable Potentiometric Sensor,LAPS)的特性参数进行研究。通过CHI660D型电化学工作站检测不同厚度LAPS芯片输出的光电流信号,分析了硅基底厚度与LAPS芯片检测灵敏度和检测量程之间的关系;还讨论了偏压大小对输出信号稳定性的影响,并在较低偏置电压下测试不同浓度的pH缓冲溶液,获得了较好的线性关系,线性相关系数为0.999 1。

关键词