热处理对离子束溅射SiO_2薄膜结构特性的影响分析

作者：季一勤; 姜玉刚; 刘华松; 王利栓; 刘丹丹; 姜承慧; 羊亚平; 樊荣伟; 陈德应

来源：红外与激光工程, 2013, (02): 418-422.

• SiO2薄膜
• 热处理
• 表面粗糙度
• XRD
• 无定形结构 SiO 2 films
• thermal treatment
• surface roughness
• XRD
• amorphous structure

采用离子束溅射沉积技术,在熔融石英基底上制备了SiO2薄膜,研究了热处理对离子束溅射SiO2薄膜结构特性的影响。热处理温度对表面粗糙度影响较大,低温热处理可降低表面粗糙度,高温热处理则增大表面粗糙度,选择合适的热处理温度,可以使表面粗糙度几乎不变。采用X射线衍射仪(XRD)物相分析方法,分析了热处理对离子束溅射SiO2薄膜的无定形结构特性的影响,当退火温度为550℃,离子束溅射SiO2薄膜的短程有序范围最大、最近邻原子平均距离最小,与熔融石英基底很接近,结构稳定。实验结果表明,采用合适的热处理温度,能大大改善离子束溅射SiO2薄膜的结构特性。

• 单位
  哈尔滨工业大学光电子技术研究所; 同济大学; 中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所