分子动力学模拟H原子与Si的表面相互作用

摘要

通过分子动力学模拟了入射能量对H原子与晶Si表面相互作用的影响.通过模拟数据与实验数据的比较,得到H原子吸附率随入射量的增加呈先增加后趋于平衡的趋势.沉积的H原子在Si表面形成一层氢化非晶硅薄膜,刻蚀产物(H2,SiH2,SiH3和SiH4)对H原子吸附率趋于平衡有重要影响,并且也决定了样品的表面粗糙度.当入射能量为1eV时,样品表面粗糙度最小.随着入射能量的增加,氢化非晶硅薄膜中各成分(SiH,SiH2,SiH3)的量以及分布均有所变化.

关键词