基于金属氧化物薄膜晶体管的高速行集成驱动电路

Authors：张立荣; 马雪雪; 王春阜; 李冠明; 夏兴衡; 罗东向; 吴为敬; 徐苗; 王磊; 彭俊彪

Source：ACTA PHYSICA SINICA, 2015, (02): 356-363.

• In-Zn-O薄膜晶体管
• 高速行集成驱动电路
• 输入级复用
• 电容耦合效应 In-Zn-O thin film transistor
• high speed gate driver circuit
• input stage multiplex
• capaci tance coupled effect

本文提出了一种基于非晶铟锌氧化物薄膜晶体管的高速行集成驱动电路,该电路采用输入级复用的驱动结构,一级输入级驱动三级输出级,不仅减少电路输入级2/3晶体管的数量,实现AMOLED或AMLCD显示屏的窄边框显示,而且输入级的工作频率是输出级的1/3,该结构适用于高速驱动电路.电路内部产生了三次电容耦合效应,每一次电容耦合效应都可以提高相应节点的电压,保证了信号完整传输.输出级采用了一个二极管接法的薄膜晶体管,该薄膜晶体管连接了输出级的控制信号和上拉薄膜晶体管的栅极,利用的每一级输出级输出时所产生的电容耦合效应,增加上拉薄膜晶体管的栅极电压,有效地提高电路输出能力和工作速度.仿真表明电路能够输出脉宽...

• Institution
  华南理工大学; 空; 广州新视界光电科技有限公司