新型低压低功耗基准电压源

作者：杜永乾; 庄奕琪; 李小明; 井凯

来源：Huazhong Keji Daxue Xuebao (Ziran Kexue Ban)/Journal of Huazhong University of Science and Technology (Natural Science Edition), 2013, (11): 114-117.

• 基准源
• 低压
• 低功耗
• 电源抑制比
• 亚阈区 reference
• low voltage
• low power
• power supply rejection ratio(PSRR)
• sub-threshold region

设计了一种低压、低功耗基准电压源电路.该电路采用工作在亚阈区的MOSFET与传统PNP晶体管相结合的方式,使得电路的输出基准电压与MOSFET阈值无关,具有较低功耗和较高精度.同时,虚拟二极管连接的偏置结构的引入提高了环路增益,进而提高基准源的电源抑制比(PSRR).采用SMIC 0.18μm工艺平台,并完成版图设计以及仿真验证.当基准源输出电压为0.702V时,电源电压工作范围为0.9~3.0V,静态功耗仅为0.6μW,其温度系数为13.6μV/℃,PSRR接近80dB.在不同工艺角下,该基准电路的输出基准电压最大偏差为9mV.

• 单位
  西安电子科技大学