半桥驱动芯片中LDMOS的设计仿真

作者：付云莹; 张国俊

来源：电子元件与材料, 2013, (01): 64-67.

• 半桥驱动芯片
• 双层浮空场板
• LDMOS
• 仿真 half-bridge drive chip
• double floating field plat
• LDMOS
• simulation

借助工艺和器件仿真软件,对一种用于功率MOSFET和IGBT栅极驱动的半桥驱动芯片中的横向高压功率器件LDMOS进行了设计与仿真。该器件采用了双RESURF技术及双层浮空场板结构,通过对双层浮空场板层之间的距离以及双RESURF结构的ptop层的长度和浓度的优化设计,利用传统的Bi-CMOS工艺获得击穿电压689V和比导通电阻273×10–3.cm2的LDMOS。

• 单位
  电子科技大学