荧光粉Sr_2SiO_4:Eu~(2+)中不同格位发光研究

作者：吴霞; 李绪诚; 罗思远; 龚新勇; 邓朝勇

来源：光电子.激光, 2013, (11): 2162-2168.

• Sr2SiO4:Eu2+
• 格位
• 选择激发
• 浓度猝灭
• 能量传递 Sr2SiO4:Eu2+
• crystallographic site
• selective excitation
• concentration quenching
• energy transfer

采用高温固相反应法制备了Sr2SiO4:xEu2+荧光粉,研究Eu2+所占据的Sr2SiO4中Sr1和Sr2两个不同格位及掺杂浓度和激发波长对格位发光的影响。荧光粉发射光谱为一双峰的宽发射光谱,可拟合为峰值位置位于480nm和530nm的两条高斯曲线,分别对应Eu2+所占据的Sr1和Sr2两个不同格位的发射。随着Eu2+掺杂浓度增加,Sr1和Sr2格位的发光强度均出现浓度猝灭现象,Sr2格位的长波长发射峰出现明显红移现象,而Sr1格位的短波长发射峰发生红移-蓝移-红移现象,这与Sr1和Sr2格位的优先占据以及格位间能量传递有关。随着激发波长的增加,Sr2格位的长波长发射的发光强度与Sr1格位的短波长发射的发光强度比值增加,占据不同格位的Eu2+对不同激发波长表现出明显的选择激发效应。

• 单位
  贵州大学