钼/聚酰亚胺异质结上体声波用氮化铝薄膜生长(英文)

作者：褚夫同; 李川; 汪振中; 刘兴钊

来源：稀有金属材料与工程, 2013, (10): 2023-2026.

• AlN
• 薄膜
• 聚酰亚胺
• FBARs AlN
• thin film
• polyimide
• FBARs

采用中频反应磁控溅射方法,在钼/聚酰亚胺/硅(Mo/PI/Si)基片上室温下制备出c轴取向柱状结晶氮化铝(AlN)薄膜,X射线衍射摇摆曲线和拉曼谱E2(高)峰半高宽分别是2.2°和18.6 cm-1。制作了基于Mo/AlN/Mo/PI/Si结构的薄膜体声波谐振器(FBARs),PI/Mo异质结用作声绝缘层。用矢量网络分析仪分析了FBARs的谐振特性,器件等效耦合系数达到5.4%。

• 单位
  电子科技大学