一种基于准分子激光退火的GeSn合金生长新技术

作者：周谦; 杨谟华; 王向展; 李竞春; 罗谦

来源：微电子学, 2013, (02): 274-277.

• GeSn
• 应变Ge
• MOSFET
• 准分子激光
• 离子注入 GeSn
• Strained Ge
• MOSFET
• Excimer laser
• Ion implantation

针对源漏诱生应变Ge沟道MOSFET的应用前景,开发了一种基于离子注入与准分子激光退火的GeSn合金生长技术。X射线衍射与透射电镜测试结果表明,采用该技术可得到质量优良的GeSn单晶。材料表面平整,无位错缺陷产生,与快速热退火方式相比,晶体质量有明显提高。Sn注入剂量为8×1015cm-2的样品经退火后,其替位式Sn原子含量为1.7%,可满足应变Ge沟道MOSFET的设计要求。该技术附加工艺少,效率高,在实际生产中具有较大的参考价值。

• 单位
  电子科技大学