RDX单晶的生长诱导位错表征

作者：周小清; 李洪珍; 徐容; 王述存; 黄明

来源：含能材料, 2013, (03): 301-305.

• 有机化学
• RDX大单晶
• 摇摆曲线
• 生长诱导位错 organic chemistry
• RDX bulk single crystal
• rocking curve
• growth-induced dislocation

采用溶剂蒸发法,以丙酮为溶剂,在一定结晶条件下可获得晶体质量好的厘米级RDX大单晶(约40 mm×40 mm×30 mm)。用高分辨X射线三晶衍射(TAXRD)摇摆曲线(ω扫描)研究了RDX单晶的生长诱导位错,用Split PearsonⅦ分析函数并对摇摆曲线进行了拟合,得到(210)、(200)和(111)晶面的摇摆曲线半高宽(FWHM),其值分别为35.35 arcsec,45.31 arcsec和77.92 arcsec,说明(111)晶面的位错密度最大,线生长速度最快;(210)晶面的位错密度最小,线生长速度最慢,RDX单晶呈现出各向异性。

• 单位
  中国工程物理研究院化工材料研究所