MgO(111)衬底MgB_2超薄膜的制备和性质研究

作者：潘杰云; 张辰; 何法; 冯庆荣

来源：ACTA PHYSICA SINICA, 2013, (12): 450-455.

• MgO(111)衬底
• MgB2超薄膜
• 混合物理化学气相沉积 MgO(111)substrate
• MgB2 ultra-thin film
• hybrid physics-chemical vapor deposition

利用混合物理化学气相沉积法(HPCVD)在MgO(111)衬底上制备了干净的MgB2超导超薄膜.在背景气体压强、载气氢气流量以及沉积时间一定的情况下,改变B2H6的流量,制备得到不同厚度的系列MgB2超导薄膜样品,并测量了其超导转变温度Tc,临界电流密度Jc等临界参量.该系列超导薄膜沿c轴外延生长,表面具有良好的连接性,且有很高的超导转变温度Tc(0)≈35—38K和很小的剩余电阻率ρ(42K)≈1.8—20.3μ.cm.随着膜厚的减小,临界温度变低,而剩余电阻率变大.其中20nm的样品在零磁场,5K时的临界电流密度Jc≈2.3×107A/cm2.表明了利用HPCVD在MgO(111)衬底上制备的MgB2超薄膜有很好的性能,预示了其在超导电子器件中广阔的应用前景.

• 单位
  北京大学