应变Si NMOS积累区电容特性研究

作者：王斌; 张鹤鸣; 胡辉勇; 张玉明; 舒斌; 周春宇; 李妤晨; 吕懿

来源：ACTA PHYSICA SINICA, 2013, (05): 377-382.

• 应变Si NMOS
• 积累区电容
• 台阶效应
• 电荷分布 strained-Si NMOS
• accumulation capacitor
• plateau
• charge distribution

积累区MOS电容线性度高且不受频率限制,具有反型区MOS电容不可比拟的优势.本文在研究应变Si NMOS电容C-V特性中台阶效应形成机理的基础上,通过求解电荷分布,建立了应变Si/SiGe NMOS积累区电容模型,并与实验结果进行了对比,验证了模型的正确性.最后,基于该模型,研究了锗组分、应变层厚度、掺杂浓度等参数对台阶效应的影响,为应变Si器件的制造提供了重要的指导作用.本模型已成功用于硅基应变器件模型参数提取软件中,为器件仿真奠定了理论基础.

• 单位
  西安电子科技大学