N/Al共掺ZnO透明导电薄膜的制备及光电性能研究

作者：高松华; 高立华; 陈礼炜

来源：半导体光电, 2019, (06): 830-832+851.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2019.06.017

• ZnO薄膜
• 射频磁控溅射
• 退火处理
• 溅射功率
• 光电性能 ZnO film
• RF magnetron sputtering
• annealing treatment
• sputtering power
• photoelectric property

采用射频磁控溅射和退火处理方法在普通玻璃基底上制备了N、Al共掺的ZnO薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、四探针电阻测试仪和紫外-可见光光谱及X射线光电子能谱(XPS)等测试手段,分析了溅射功率对薄膜表面形貌结构及光电性能的影响。研究结果表明:不同溅射功率下所制备的薄膜均为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构,在可见光范围内,平均透过率都超过了85%;在溅射功率为140W条件下,N、Al共掺的ZnO薄膜显示出p型导电特性。

• 单位
  三明学院