有效跨导为1052mS/mm的高性能InP基In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As HEMTs(英文)

作者：钟英辉; 王显泰; 苏永波; 曹玉雄; 张玉明; 刘新宇; 金智

来源：红外与毫米波学报, 2013, (03): 193.

• 高电子迁移率器件
• 栅长
• 栅槽
• InP
• InAlAs/InGaAs HEMT
• gate-length
• gate recess
• InP
• InAlAs/InGaAs

成功研制了栅长为0.15μm、栅宽为2×50μm、源漏间距为2μm的InP基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As高电子迁移率器件.室温下,当器件VDS为1.7 V、VGS为0.1 V时,其有效跨导达到了1 052 mS/mm.传输线方法(TLM)测试显示器件的接触电阻为0.032Ω.mm,器件欧姆接触电阻率为1.03×10-7Ω.cm-2.正是良好的欧姆接触及其短的源漏间距减小了源电阻,进而使得有效跨导比较大.器件有比较好的射频特性.从100 MHz到40 GHz,S参数外推出来的fT和fmax分别为151 GHz和303 GHz.所报道的HEMT器件非常适合毫米波段集成电路的研制.

• 单位
  中国科学院微电子研究所; 西安电子科技大学