采用CVD异位退火和双温区HPCVD工艺制备MgB_2/B/MgB_2多层膜

作者：周章渝; 王松; 杨发顺; 杨健; 傅兴华

来源：低温物理学报, 2013, (06): 425-429.

• MgB2/B/MgB2多层膜
• 化学气相沉积(CVD)
• 混合物理化学气相沉积
• (HPCVD) MgB2/B/MgB2 trilayers
• chemical vapor deposited(CVD)
• hybrid physics-chemistry vapour deposited(HPCVD)

介绍了采用了MgB2薄膜的化学气相沉积(CVD)异位退火和双温区混合物理化学气相沉积(HPCVD)制备技术,并以B膜作为势垒层在多晶的Al2O3基底上制作了三明治结构的MgB2/B/MgB2多层膜.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法对制备的MgB2/B/MgB2多层膜的断面结构、超导薄膜晶体结构及超导特性进行了测量研究.结果表明,制备的MgB2/B/MgB2多层膜结构清晰,底层和顶层超导薄膜显示出良好的超导特性.

• 单位
  贵州大学