<正>20世纪80年代中期出现了通、断机制相结合的新一代半导体电力开关器件-绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)。它是一种复合器件,其输入控制部分为功率场效应晶体管(MOSFET),输出级为双级结型三极晶体管;因此兼有MOSFET和电力晶体管的特点:输入阻抗高、开关速度