利用基于密度泛函理论的第一性原理,计算讨论了本征态ZnO体系,La、N单掺ZnO体系及La-N共掺ZnO体系4个体系的电子结构和晶体结构.计算结果表明:掺杂后能级数量明显增多,单掺N体系和La-N共掺体系中出现了杂质能级,使原来较宽的禁带被分割成较小禁带,因而电子跃迁所需要的能量变小,体系的电学性能得以改善.