热压烧结ITO靶材物相组成与电子结构研究

作者：马晓波; 陈焕铭; 张伟; 孙本双; 钟景明; 王东新

来源：稀有金属材料与工程, 2013, 42(1).

DOI：10.3969/j.issn.1002-185X.2013.01.025

• ITO靶材
• 热压烧结
• X射线衍射谱
• X射线光电子能谱

采用XRD、XPS对ITO固溶烧结前后物相结构及靶材表面In、Sn、O三元素价态进行表征和研究.结果发现:ITO固溶体中溶质与溶剂离子的半径差异较大是引发掺杂后XRD图谱谱峰偏移的主要原因；而XPS图谱中谱峰偏移则是Sn掺杂导致ITO导带中电子态占有率增加、Fermi能级升高的缘故.研究结果为制备成分、结构均匀的高密度ITO靶材提供了有益的参考.

• 单位
  西北稀有金属材料研究院; 宁夏大学