PECVD分层结构对提高氢化非晶硅TFT迁移率的影响

Authors：于遥; 张晶思; 陈黛黛; 郭睿倩; 谷至华

Source：ACTA PHYSICA SINICA, 2013, (13): 525-531.

• 非晶硅薄膜晶体管
• 电子迁移率
• 欧姆接触层
• 栅极绝缘层 amorphous silicon TFT
• electron mobility
• n + layer
• G-SiN x

为了进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si:HTFT)的场效应电子迁移率,研究了批量生产条件下对欧姆接触层和栅极绝缘层进行多层制备,不同的工艺参数对a-Si:HTFT场效应电子迁移率的影响.研究表明随着对欧姆接触层(n+层)分层数的增加,以及低速生长的栅极绝缘层(GL层)和高速生长的栅极绝缘层(GH层)厚度比值提高,a-Si:HTFT的场效应迁移率得到提升.当n+层分层数达到3层,GL层和GH层厚度比值为4:11时,器件的场效应电子迁移率达到0.66cm2/V.s,比传统工艺提高了约一倍,显著改善了a-Si:HTFT的电学特性,并在量产线上得到了验证.

• Institution
  复旦大学