基于MEMS高阻硅基底的X波段微带天线

摘要

对基于MEMS的高阻硅基底阵列式微带天线设计、制造及测试三部分内容进行了研究。此X波段阵列式微带天线以高阻硅为基底,采用背面刻蚀基底厚度一半的空气腔,使用侧馈的方式馈电,以二等功分器构成馈电网络。针对高阻硅脆性材料,天线加工采用深槽刻蚀、电镀、溅射、切割和封装。使用HFSS软件进一步分析刻蚀深度对天线驻波比、效率和损耗等电性能的影响,最终得出刻蚀深度应控制在221～224μm。对样品天线驻波比、增益和方向图进行测试,高阻硅基底阵列式微带天线样品测试驻波比为1.79,增益大于10 dB,测试结果满足设计和项目指标要求。

关键词