0.5μm GaAs pHEMT射频矩阵开关

作者：汪洋; 杨洪文; 张海鹏; 阎跃鹏; 刘宇辙

来源：微电子学, 2013, (03): 329.

• 射频矩阵开关
• 逻辑解码器
• 插入损耗 RF matrix switch
• Logic decoder
• Insertion loss

基于0.5μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种应用于950～2 150MHz的4×2射频矩阵开关。该矩阵开关有四路输入两路输出,通过控制片内集成的4比特数字逻辑解码器电路,两路输出端口可以任意选择4路输入射频信号中的任意两路信号,或者同时选通一路信号,并在输出端集成负载检测功能。开关的工作电压为5V,在950～2 150MHz的频率范围内,其插入损耗低于5.6dB,隔离度高于37dB,每个输入和输出端口的回波损耗大于13dB,功率容量为19.4dBm,开关的最大功耗为8mW,适合多模多频段射频前端的应用。

• 单位
  杭州电子科技大学; 中国科学院微电子研究所