InAs(001)表面脱氧动力学分析

Authors：魏文喆; 郭祥; 刘珂; 王一; 罗子江; 周清; 王继红; 丁召

Source：ACTA PHYSICA SINICA, 2013, (22): 355-361.

• 热分解
• III-V族半导体
• 反射式高能电子衍射 thermal desorption
• III-V semiconductors
• reflection high energy electron diffraction

利用反射式高能电子衍射(RHEED)实时监控对InAs衬底进行两步完全脱氧的过程,对比了有低(高)砷等效束流压强保护下采用两步法对InAs衬底缓慢长时间的高温脱氧过程.InAs衬底两步完全脱氧法的第一步为传统的缓慢升温脱氧方法,第二步为高温In束流辅助脱氧方法.衬底高温脱氧的RHEED衍射图样说明了高温In束流辅助脱氧最终完全清除传统的缓慢升温法无法去掉的残留氧化物,通过脱氧完成同质外延生长后的扫描隧道显微镜图像,说明高砷等效束流压强保护下的脱氧方法是可行的;分析了高温In束流能完全清除衬底表面残余In氧化物的原理.

• Institution
  贵州大学; 贵州财经学院