基于掺杂Al原子的HfO_2体系对RRAM性能的影响

作者：姜永召; 代广珍

来源：牡丹江师范学院学报(自然科学版), 2019, (04): 26-29.

DOI：10.13815/j.cnki.jmtc(ns).2019.04.008

• 第一性原理
• 电荷通道
• 间隙Al first principles
• charge channel
• interval Al

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究掺杂Al的HfO_2阻变材料的微观特性.研究表明,间隙Al掺杂到HfO_2中后,体系更稳定;当间隙Al浓度为2.04%时,能够形成较为完美的电荷通道,临界等势面值相对最高,有利于器件的均匀性、操作速度以及形成电压等性能的改善;当间隙Al浓度高于4%时,掺杂体系的材料制备更加困难.

• 单位
  安徽工程大学 ; 安徽工程科技学院