沉积温度对直流磁控溅射Nb膜特性的影响

作者：秦玉磊; 王晖; 熊杰; 赵晓辉; 夏钰东; 李丽华; 陶伯万

来源：低温物理学报, 2013, (06): 444-448.

• 直流磁控溅射
• Nb膜
• 临界转变温度(Tc)
• 内部应力
• 表面形貌 DC magnetron sputtering
• Nb film
• superconducting transition temperature
• Interior stress
• Surface morphology

采用直流磁控溅射方法在石英衬底上沉积Nb薄膜,通过四探针电阻测试仪、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等测试分析,研究不同衬底温度对Nb薄膜的晶体结构、应力情况、表面形貌和电性能的影响.所制备的Nb薄膜在(110)晶面方向存在明显的择优取向,提高沉积温度可以使结晶质量变好,缓解铌膜内部应力,表面更加致密平整;合适的沉积温度有利于铌膜电阻率的减小,在400℃附近制备的Nb膜电阻率最小(约为18.5μΩ-cm),其临界转变温度(Tc)为9.1K,表明具有良好的超导特性.

• 单位
  中国科学院电工研究所; 电子科技大学