一种P沟VDMOS器件的研究与实现

摘要

分析了P沟VDMOS器件结构中外延层参数与击穿电压、导通电阻之间的关系.采用Silvaco对该器件的元胞结构、物理参数和电学性能进行了模拟和优化,并设计了针对该器件的终端结构.完全依靠国内生产线流程成功开发出了P沟VDMOS制造工艺,并据此研制出了耐压值80V、输出电流14A的P沟VDMOS.测试了其静态和动态参数,均达到了设计要求.

关键词