就金属_氧化物_半导体(MOS)器件和双极器件混合结构(BICMOS)电路的抗辐照加固技术的设计而言,器件种类多会导致在硅工艺实现上的复杂性和失效问题。就此,提出了一种新的抗辐照加固设计方案。利用MOS器件抗辐照加固工艺的设计规则,完成对双极器件的版图集成,实现BICMOS结构的电路功能。最终,以通信接口类芯片产品中常用的振荡器单元为例进行仿真验证,达到设计要求。
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