应变Si NMOSFET漏电流解析模型

作者：周春宇; 张鹤鸣; 胡辉勇; 庄奕琪; 吕懿; 王斌; 李妤晨

来源：ACTA PHYSICA SINICA, 2013, (23): 304-311.

• 应变Si NMOSFET
• 漏电流
• 解析模型 strained Si NMOSFET
• drain current
• analytical modeling

基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si NMOSFET漏电流解析模型.该模型采用平滑函数,实现了应变Si NMOSFET漏电流及其导数,从亚阈值区到强反型区以及从线性区到饱和区的平滑性,解决了模型的连续性问题.同时考虑了载流子速度饱和效应和沟道长度调制效应的影响,进一步提高了模型精度.通过将模型的仿真结果和实验结果对比分析,验证了所建模型的有效性.该模型可为应变Si数字集成电路和模拟集成电路分析、设计提供重要参考.

• 单位
  西安电子科技大学