科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
基于密度泛函理论的总体能量平面波模守恒赝势方法,对掺杂Si、Ge、Sn的ZnO的电导率和光学性质进行了理论研究。结果表明,掺杂后晶格常数随着杂质原子序数的增大而增大。IVA族元素对Zn的替代可以提高ZnO的载流子浓度和电导率。ZnO∶Si的载流子浓度最大,ZnO∶Sn的电导率最大。IVA族元素对Zn的替代使得ZnO的吸收和反射都降低。此外,掺Sn的ZnO由于在可见光区吸收小和反射小,更适合用于制备高质量的透明导电氧化物。理论计算的结果与实验结果相一致。
-
单位西安电子科技大学
