Si/SiO_2界面的原子结构模型

Authors：杜龙欢; 荣丽梅; 杜江峰; 于庆伟; 郑小明

Source：微纳电子技术, 2013, (10): 615-622.

• 原子结构
• 电子特性
• 界面结构
• 硅
• 氧化硅
• 过渡层 atomic structure
• electronic property
• interface structure
• silicon
• silicon oxide
• transition layer

理论计算已逐渐成为从原子尺度上研究Si/SiO2界面特性的必要手段,选择合适的Si/SiO2界面原子结构模型是准确计算Si/SiO2界面特性的前提。梳理比较了Si/SiO2界面特性研究方面目前主要的实验研究结果及其理论计算结果,介绍了Si/SiO2界面原子结构模型及其特点。并从Si衬底晶向、过渡区的组成与厚度以及电子特性方面,分析了这些模型的优缺点及其适用性。认为以亚氧化态Si作为过渡层的模型能更好地解释实验数据,并适用于界面结构特性和电子特性等的仿真计算。本研究对改进Si/SiO2原子结构模型、研究界面缺陷以及在原子尺度上分析界面缺陷对器件特性影响有着重要的意义。

• Institution
  电子科技大学