摘要
采用基于单电子晶体场机制的对角化能量矩阵方法,计算了Gd3+在钼酸盐AMoO4(A=Ca,Sr,Ba,Pb)晶体中的自旋哈密顿参量(g因子g//,g⊥和零场分裂b20,b40,b44,b60,b64).矩阵中的晶体场参量采用重叠模型计算.计算结果显示,应用三个合理的可调参量[即重叠模型中的内禀参量2(R0),4(R0)和6(R0)],计算的七个自旋哈密顿参量与实验结果符合甚好,表明该方法可用于计算或解释Gd3+在晶体中的自旋哈密顿参量.
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单位成都信息工程学院; 电子科技大学