AZO 薄膜用于 GaN 基 LED 透明电极的性能研究

摘要

采用脉冲激光沉积法制备 Al 掺杂 ZnO(AZO)薄膜。研究了不同沉积氧压下薄膜的光电性能, 当沉积压强 0.1Pa 时 AZO 薄膜光电性能最优。将该薄膜用于 GaN 基 LED 透明电极作为电流扩展层, 在 20 mA 正向电流下观察到了 520 nm 处很强的芯片发光峰, 但芯片工作电压较高, 约为 10 V, 芯片亮度随正向电流的增大而增加。二次离子质谱测试表明, AZO 薄膜与 GaN 层界面处两种材料导电性能的变化以及钝化层的形成是导致芯片工作电压偏高的原因。

关键词