K9和Si(100)基片上Be薄膜微观组织、晶粒尺寸及表面粗糙度的演变规律

作者：罗炳池; 李恺; 李佳; 谭秀兰; 周民杰; 张吉强; 罗江山; 吴卫东; 唐永建

来源：中国有色金属学报, 2013, (04): 1079-1085.

• Be薄膜
• 等轴晶
• 沉积速率
• 表面粗糙度 Be films
• equiaxed grain
• deposition velocity
• surface roughness

采用真空蒸镀法分别在K9和Si(100)基片上制备Be薄膜,在相同沉积速率下,K9基片上Be薄膜生长形态和Si基片上Be薄膜生长形态存在差异。但是两者随沉积速率增加具有相似的演变规律,即由等轴晶变化至纤维晶,再至粗大等轴晶。XRD和XPS分析结果表明:不同基片和蒸发温度下制备的Be薄膜均主要由HCP结构的α-Be相组成,且表面存在一定氧化;对于非晶K9基片,Be薄膜晶粒取向较单一,(101)始终为显露晶面;而单晶Si(100)基片上Be晶粒取向多样,在一定沉积速率下显露特定晶面;相同沉积时间下K9和Si(100)基体上生长的Be薄膜粗糙度Rq变化趋势十分相似,两者随Be薄膜沉积速率(v)增加先急剧增大后趋于平缓;以细小等轴晶生长的薄膜表面光洁度较高,而以纤维晶或粗大混晶生长的薄膜表面粗糙度较大。

• 单位
  中国工程物理研究院激光聚变研究中心