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摘要
由于铍薄膜极易被X射线穿透,传统的几何模式下很难获得有效的X射线衍射应力分析结果.本文采用掠入射侧倾法分析SiO2基底上Be薄膜残余应力,相比其他衍射几何方法,提高了衍射的信噪比,获得的薄膜应力拟合曲线线形较好.对Be薄膜的不同晶面分析,残余应力结果相同,表明其力学性质各向同性;利用不同掠入射角下X射线的穿透深度不同,获得应力在深度方向上的分布;由薄膜面内不同方向的残余应力相同,确定薄膜处于等双轴应力状态.
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单位中国工程物理研究院激光聚变研究中心
