混合物理化学气相法(HPCVD)制备MgB_2超导薄膜技术

作者：周章渝; 杨发顺; 王松; 杨健; 傅兴华

来源：功能材料, 2013, (06): 893-896.

• MgB2超导薄膜
• 沉积温度
• 混合物理化学气相法(HPCVD) MgB2 superconducting thin films
• deposition temperature
• hybrid physical-chemical vapor deposition(HPCVD)

介绍了采用混合物理化学气相法(HPCVD)工艺以乙硼烷(B2H6)为硼源在热蒸发镀膜机内以不同的沉积温度在(0001)取向的Al2O3单晶基底上制备了MgB2超导薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法电阻测量分析了沉积温度对生成的MgB2薄膜的表面形貌、晶体结构、超导转变温度的影响。结果表明,随着基底温度的升高,MgB2相结晶程度提高,c轴取向程度增强,薄膜整体性能显著提高。

• 单位
  贵州大学