一种新型全CMOS低功耗基准电源的设计

作者：许育森; 胡炜

来源：微电子学, 2013, (06): 742-746.

• 偏置电流源
• 基准电压源
• 全CMOS Bias current source
• Voltage reference source
• All-CMOS

基于亚阈值区MOSFET器件栅源电压的负温度特性,以及两MOSFET串联中间结点电压的正温度特性,设计了一个新型基准电压源。与传统带隙基准电压源相比,该电路采用全CMOS器件,无电阻,具有功耗低、面积小的特点。另外,设计了一个高电源抑制比、低温漂的电流源为基准电压源提供偏置。对电路进行了理论分析和优化设计,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,在各工艺角下对电路进行仿真。仿真结果显示,该基准电源的输出电压为700mV左右,温漂系数约为8×10-5/℃,电源电压可低至1.2V,电源抑制比达到-62dB@100Hz,功耗仅为1.5μW。

• 单位
  福州大学