基于载流子注入的SOI 4×4 MMI-MZ光开关阵列

作者：杨健; 陈伟伟; 王皖君; 王明华; 杨建义

来源：光电子.激光, 2013, (01): 16-20.

• 光开关阵列
• 马赫-曾德(MZ)
• 多模干涉(MMI)耦合器
• SOI
• 载流子色散 optical switch matrix
• Mach-Zehnder(MZ)
• multimode interference(MMI) coupler
• silicon-on-insulator(SOI)
• carrier dispersion

采用0.8μm CMOS工艺线制作了一种基于载流子注入的SOI 4×4马赫-曾德(MZ)光开关阵列,其由4个2×2基于多模干涉(MMI)耦合器的MZ(MMI-MZ)光开关单元组成。通过对调制臂施加电压,利用Si的载流子色散效应引起调制区的折射率变化实现开关功能。测试结果表明,当输入光为1 510～1 580nm的宽带光源时,光开关阵列的不同路径间的串扰低于-8.02dB,支持的公共带宽为35nm(1 530～1 565nm),开关阵列的上升和下降时间分别为17.4ns和21ns。

• 单位
  宁波大学; 浙江大学; 贵州大学