摘要
基于改变阳离子半径对蛇纹石结构层的可调性,以氧化锗和氢氧化镍为原料,通过水热法合成了Ni3[Ge2O5](OH)4纳米盘.采用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和红外光谱仪(FTIR)等手段对不同反应时间合成样品的物相、形貌和结构进行了分析表征.结构分析表明,合成样品为纤蛇纹石结构,其晶胞参数为a=5.300,b=9.199,c=14.631,α=γ=90°,β=93.51°.形貌分析表明,样品为六边形纳米盘状,其粒径约为0.2~1μm.分析认为,样品生长过程与蛇纹石层生长机理相一致。
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单位中国工程物理研究院激光聚变研究中心; 西南科技大学; 中国工程物理研究院流体物理研究所