一款超宽带GaAs单片数字移相器

作者：甄建宇; 陈娜; 赵瑞华; 王凯; 韩玉鹏

来源：半导体技术, 2013, (11): 807-811.

• 超宽带
• 砷化镓
• 单片微波集成电路(MMIC)
• 数字移相器
• 均方根误差(RMS) ultra-wideband
• GaAs
• monolithic microwave integrated circuit(MMIC)
• digital phase shifter
• root-mean-square(RMS

分析了单片数字移相器的移相原理,详细介绍了每一个基本移相位的设计方法及结构,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺技术设计并制作了一款超宽带6 bit数字移相器。采用ADS Momentum微波设计环境进行了电路仿真,在中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs工艺线上进行了工艺流片并进行了在片测试。测试结果表明,6 bit数控移相器在工作频率为8~12 GHz时,主要移相态的均方根相位误差(RMS)值小于2.0°,回波损耗小于-11 dB,插入损耗为8.0~9.5 dB,插损波动为-0.5~0.8 dB,控制电压为-5 V/0 V。6 bit数字移相器的电路尺寸为4.1 mm×1.5 mm,并行输入控制信号,其有效工作带宽达到了40%。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所; 电子科技大学