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摘要
基于TSMC 0.5μm 2P2M CMOS高压混合信号工艺设计了一种高精度、低温度系数带隙电压基准源。为了降低温度系数,电路采用MOS器件,利用I D-V GS关系来进行二阶补偿,没有采用传统的放大器反馈模式,从而极大地简化了电路结构,同时也省去了因放大器失调所带来的困扰。电路在Cadence软件上完成设计并用Spectre进行了仿真验证。结果表明,在6 V电源电压下,电路产生的基准电压为1.2 V,在-30～130℃温度范围内温度系数为1.4×10-6(ppm)/℃,低频下电源抑制比为-60 dB,功耗为0.18 mW。
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单位电子科技大学
