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电注入退火条件对铸造单晶硅PERC电池抗LID效应影响的研究

王泽辉; 沈鸿烈; 魏青竹; 倪志春; 李树兵; 李跃; 张树德
中国知网
南京航空航天大学

摘要

铸造单晶硅太阳电池由于性价比高,在晶硅太阳能市场占有越来越重要的地位。文章以B和Ga共掺杂的铸造单晶硅钝化发射和背面(PERC)电池为研究对象,采用现有工业生产的电注入退火方法,分别进行了260和180℃温度下的不同电注入条件退火处理和随后的光致衰减(LID)效应分析。分析表明:经180℃的电注入退火处理,电池效率的变化率为-0.64%,经60kW·h的光照后,电池效率比退火前降低了2.79%。而经过260℃的电注入退火处理后,电池效率提高1.12%,且经60kW·h的光照后,电池效率比退火前仅下降1.96%。这些结果说明,260℃的电注入退火条件更适用于铸造单晶硅电池的抗LID处理。

关键词

PERC电池 LID效应 铸造单晶硅 电注入退火 电学性能 PERC solar cell LID effect cast monocrystalline silicon current injection annealing electrical property