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一种基于BCD工艺的新型5V基准电路设计

盛健健; 张国俊
中国知网
电子科技大学

摘要

设计了一种结构简单的新型基准电路,通过对带隙基准的倍乘,无需电压转换电路,输出5V基准电压可直接用于芯片次级电源.电路设计中,运用驱动电路提高基准电压的驱动能力,通过温度补偿、电路隔离技术和反馈环路,提高基准电压的温度特性、电压抑制比和稳定性.全电路基于0.35μm BCD工艺,并通过Hspice仿真.结果表明,基准电压输出为5V,驱动能力20mA,温度系数5.1ppm/℃;室温下,电源抑制比63dB@100kHz.

关键词

带隙基准 驱动能力 温度特性 电压抑制比 bandgap reference drive capability temperature characteristics PSRR