不同键合温度对低温硅-硅共晶键合的影响

作者：陈颖慧; 施志贵; 郑英彬; 隆艳; 王旭光

来源：微纳电子技术, 2013, (09): 576-580.

• 键合
• 共晶
• 低温
• 超声波显微镜
• 键合强度
• 键合质量检测 bonding
• eutectic
• low temperature
• ultrasonic microscope
• bonding strength
• bonding quality measurement

选取Ti/Au作为金属过渡层来实现低温硅-硅共晶键合。首先介绍了共晶键合的基本原理,分析了选择金-硅共晶键合的原因,设计了单面溅金、双面溅金以及不同温度下的硅-硅共晶键合实验。采用超声波显微镜对键合样品内部空洞缺陷进行了测试,采用测试设备Dage 4000Plus对键合样品的键合强度性能进行了测试,并对测试结果进行了分析讨论。不同温度测试结果表明,380℃为最佳的金-硅共晶键合温度;单、双面溅金测试结果表明,双面溅金键合工艺优于单面溅金键合工艺。较低温度下实现较高键合强度的硅-硅键合实验表明,金-硅共晶键合的工艺简单、键合温度低,且对工艺环境要求不高。

• 单位
  中国工程物理研究院电子工程研究所