不同退火温度对4H-SiC金半接触的影响

作者：孙子茭; 钟志亲; 王姝娅; 戴丽萍; 张国俊

来源：压电与声光, 2013, (03): 419-422.

• SiC
• 欧姆接触
• 快速热退火
• 肖特基势垒 Silicon carbide
• ohmic contact
• rapid thermal annealing
• Schottky barrier

采用高真空电子束蒸发法制作了基于4H-SiC外延材料的肖特基二极管,其中欧姆接触材料为Ti/Ni,肖特基接触材料为Ni。常温下,电流-电压(I-V)测试表明Ni/4H-SiC肖特基二极管具有良好的整流特性,热电子发射是其主要输运机理。对比分析不同快速退火温度下器件的I-V特性,实验结果表明875℃退火温度下欧姆接触特性最好,400℃退火温度下器件肖特基接触I-V特性最好,理想因子为1.447,肖特基势垒高度为1.029eV。

• 单位
  电子科技大学