GaN_Si npn HBT特性研究

作者：董果香; 李建清

来源：电子器件, 2013, (01): 5-8.

• 异质结器件
• 物理模型
• 仿真
• GaN heterojunction device
• physical model
• simulation
• GaN

采用二维器件仿真软件对GaN/Si异质结双极晶体管进行了特性仿真研究。对GaN/Si异质结双极晶体管建立了合理准确的物理模型,包括不完全电离模型、能带模型、能带变窄模型、迁移率模型与复合模型。结果表明,GaN/Si异质结开启电压为2.5 eV。在Ib=0.2 mA时,电流放大倍数为100倍。击穿电压为900 V,使其在大功率器件方面有很大应用前景。最高截止频率为100 GHz,使其可工作在射频和微波频段。

• 单位
  电子科技大学