用于铁电BaTiO_3薄膜的Ta_2O_5隔离埋层(英文)

作者：张安邦; 祁小四; 邓朝勇

来源：微纳电子技术, 2013, (11): 701.

• 铁电陶瓷
• 电介质
• 多层薄膜
• 铁电性
• 界面效应 ferroelectric ceramic
• dielectric
• multilayer thin film
• ferroelectricity
• interfacial effect

BaTiO3薄膜的铁电性通常会受到界面效应的影响而衰减。提出了使用Ta2O5作为隔离层能够有效抑制界面效应。利用脉冲激光沉积技术,在(100)晶向的SrTiO3衬底上成功制备了BaTiO3/Ta2O5/SrRuO3三层复合薄膜结构。样品的XRD结果表明所得到的薄膜为四角结构的BaTiO3,样品的三层膜结构能够在场发射扫描电镜(FESEM)中清楚观察到。实验所测的电滞回线表明该三层BaTiO3/Ta2O5/SrRuO3薄膜的饱和极化强度、剩余极化强度和矫顽电压分别是58.7μC/cm2,20.6μC/cm2,20.3 V。与两层的BaTiO3/SrRuO3薄膜相比,该BaTiO3/Ta2O5/SrRuO3三层复合薄膜能够表现出更加优异的铁电性。因而,提供了一个能使BaTiO3薄膜的集成变得简单可行的方法,并且可以用作提升相关铁电器件的性能。

• 单位
  贵州大学