不同粒子辐射条件下CC4013器件辐射损伤研究

摘要

本文采用60MeV Br离子、5MeV质子和1MeV电子等三种辐射源,针对CC4013型互补金属氧化物半导体器件(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)进行辐射损伤研究.通过Geant4程序计算了该器件电离辐射吸收剂量与芯片厚度的关系,经过计算,在相同注量下,60MeV Br离子的电离吸收剂量最大,1MeV电子产生的电离吸收剂量最小.应用Keithley4200-SCS半导体特性分析仪在原位条件下研究了CC4013器件电性能参数随辐射吸收剂量的变化关系.测试结果表明,相同电离辐射吸收剂量下,1MeV电子对CC4013器件的阈值电压参数影响最大,5MeV质子其次,60MeVBr离子的影响最弱.

关键词